实测发现，与基于 IGBT 和 MOSFET 的解决方案相比，氮化镓FET的损耗减减少了50%，以此有效改善了热性。通过优化导通和开关损耗，TI 的氮化镓智能功率模块，实现了 99%的逆变器效率，远胜于现有的 IGBT 和 MOSFET 解决方案。
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2. 连接部件检查：检查设备各连接部件的完好性，确保没有松动或脱落。
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